全球市場(chǎng)研究機構集邦咨詢(xún)在最新《中國半導體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》中指出，受益于新能源汽車(chē)、工業(yè)控制等終端市場(chǎng)需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續缺貨和漲價(jià)，帶動(dòng)了2018年中國功率半導體市場(chǎng)規模大幅成長(cháng)12.76%至2,591億元人民幣。

       其中功率分立器件市場(chǎng)規模為1,874億元人民幣，較2017年同比成長(cháng)14.7%；電源管理IC市場(chǎng)規模為717億元人民幣，較2017年同比增長(cháng)8%。

                                  圖：2015~2019年中國功率半導體市場(chǎng)規模。

       集邦咨詢(xún)分析師謝瑞峰指出，功率半導體作為需求驅動(dòng)型的產(chǎn)業(yè)，2019年景氣仍然持續向上。雖然仍受到全球貿易不穩定等因素影響，但在需求驅動(dòng)下，受影響程度要小于其他IC產(chǎn)品。集邦咨詢(xún)預估，2019年中國功率半導體市場(chǎng)規模將達到2,907億元人民幣，較2018年成長(cháng)12.17%，維持雙位數的成長(cháng)表現。

       受益于國產(chǎn)替代的政策推動(dòng)和缺貨漲價(jià)的狀況，2018年多家中國本土功率半導體廠(chǎng)商取得亮眼的成績(jì)，并擴大布局。其中，比亞迪微電子憑借擁有終端的優(yōu)勢，在車(chē)用IGBT市場(chǎng)快速崛起，取得中國車(chē)用IGBT市場(chǎng)超過(guò)兩成的市占率，一躍成為中國銷(xiāo)售額前三的IGBT供應商；MOSFET廠(chǎng)商華微電子和揚杰科技營(yíng)收大增，并且逐漸導入IGBT市場(chǎng)。

       另外，新建與規劃中的IGBT產(chǎn)線(xiàn)有士蘭微廈門(mén)12寸特色工藝產(chǎn)線(xiàn)、華潤微電子在重慶建設的12寸特色工藝產(chǎn)線(xiàn)，以及積塔半導體專(zhuān)業(yè)汽車(chē)級IGBT產(chǎn)線(xiàn)等。同時(shí)，多家廠(chǎng)商也投入研發(fā)SiC等新材料技術(shù)領(lǐng)域，基本半導體的SiC MOSFET已進(jìn)入量產(chǎn)上市，而定位為代工的三安光電SiC產(chǎn)線(xiàn)也已開(kāi)始接單、比亞迪微電子也已研發(fā)成功SiC MOSFET，其目標是到2023年實(shí)現SiC MOSFET對硅基IGBT的全面替代。

        展望2019年，從終端需求來(lái)看，新能源汽車(chē)仍然為中國功率半導體市場(chǎng)最大需求來(lái)源，根據集邦咨詢(xún)資料顯示，2019年中國新能源車(chē)產(chǎn)量預估為150萬(wàn)輛，較前一年成長(cháng)45%，其ADAS系統、電控以及充電樁的需求將帶動(dòng)功率分立器件市場(chǎng)規模約270億元。同時(shí)，5G建設所需的基站設備及其普及后帶來(lái)物聯(lián)網(wǎng)、云計算的快速發(fā)展，將對功率半導體產(chǎn)生長(cháng)期大量需求，另外，工業(yè)自動(dòng)化規劃持續推進(jìn)，與之相關(guān)的電源、控制、驅動(dòng)電路將持續推升中國功率半導體的采購。

       從供應端來(lái)看，2019年雖然有3-5條功率產(chǎn)線(xiàn)將進(jìn)入量產(chǎn)，但根據集邦咨詢(xún)預計，2019年前三季度功率分立器件產(chǎn)品缺貨情況恐難有明顯好轉，多家廠(chǎng)商的產(chǎn)品價(jià)格預期仍將上漲。從廠(chǎng)商的技術(shù)發(fā)展來(lái)看，SiC MOSFET有望進(jìn)一步提高在車(chē)用領(lǐng)域對硅基IGBT的替代率，硅基IGBT則有望向更低功耗、更高效率的方向繼續發(fā)展。

轉自：集邦咨詢(xún)TrendForce，電子發(fā)燒友網(wǎng)。